NAND 存储简介

一、存储芯片的种类

存储芯片可以分为易失性存储芯片 (Random-Access-Memory) 与非易失性存储芯片 （Non-Volatilet-Memory）。易失性存储芯片在断电后无法保留存储的信息，而非易失性存储芯片可以在断电后保持代码和数据。

非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。

二、NAND闪存优势

NAND 闪存是一种使用了浮栅晶体管，它利用第二栅极来收集和捕获电子，这些电子在穿过电池时被迫经过。这确保了在没有电压的情况下，存储在浮栅上的电子也能保持原位，从而实现了可靠的数据存储。

相较于 NOR Flash, NAND Flash 读写速度快，存储密度更高，块擦/写速度快，有更长的使用寿命。总体而言，NAND Flash 为大容量数据存储的实现提供了高性价比且有效的解决方案。所以，它是市场上最常见的非易失存储的技术方案。

NAND Flash 又可以分为 Serial NAND 和 Raw NAND。简而言之，Serial NAND 可以理解为串行接口的 NAND Flash，Raw NAND 可以理解为并行接口的 NAND Flash。早期，并行接口的数据率是明显高于串行接口的。虽然串行接口的通信速度随着技术的发展不断提高，且并行走线的设计成本高，但目前并行接口的 NAND 仍是主流。

三、SIDesigner仿真实例

在巨霖 SIDesigner 仿真平台中，通过设置发射端和输出端的 IBIS 文件和中间的 S 参数，即可以完成 NAND Flash 的仿真。

仿真结果：

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