东南大学与巨霖科技合作在 IEEE TPEL 上发表 GaN SPICE 建模论文

近日，东南大学 ASIC 中心和巨霖科技合作在 IEEE Trans. on Power Electronics Letters (IEEE TPEL) 上发表了一篇论文：《Physics Based SPICE Modeling of Dynamic On-state Resistance of p-GaN HEMTs》。

论文介绍了一种针对 P 型栅功率氮化镓高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMTs）动态导通电阻特性的新型基于物理机理的 SPICE 建模方法。为了描述器件在连续脉冲工作条件下的动态电阻变化，建立了电子迁移率连续变化的公式，提取了 p-GaN HEMT 中陷阱的活化能和电压加速度因子作为模型参数。通过将所提出的迁移率连续变化公式集成到基于表面势的 ASM-HEMT 模型中，最终实现了 p-GaN HEMT 的动态电阻特性 SPICE 建模。仿真结果表明，所提出的模型可以成功预测动态电阻现象引起的系统功率损耗。

论文内容请点击以下链接访问：

Physics_Based_SPICE_Modeling_of_Dynamic_On-state_Resistance_of_p-GaN_HEMTs.pdf